Оперативная память 8GB DDR4-2666 PC4-21300 Samsung 3rd, CL19, 1.2V (K4A8G085WC-BCTD/8)
Вы можете отправить запрос на получение скидки
-
Доставка в: Крым, ДНР, ЛНР, Ростов на Дону, Донецк, Луганск, Мелитополь, Скадовск, Краснодар, Сочи, Бердянск, Мариуполь, Энергодар, Геническ.
-
Самые короткие сроки доставки
-
Оплата при получении и проверке
-
Весь товар сертифицирован и имеет официальную гарантию производителя
Описание
Общие характеристики
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
DIMM 288-контактный
Тактовая частота
2666 МГц
Пропускная способность
21300 МБ/с
Объем
1 модуль 8 ГБ
Поддержка ECC
нет
Поддержка XMP
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Тайминги
CAS Latency (CL)
19
RAS to CAS Delay (tRCD)
19
Row Precharge Delay (tRP)
19
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля
8, односторонняя упаковка
Напряжение питания
1.2 В
Количество ранков
1
Совместимость
чипы C-die
Отзывы
Сообщения не найдены